單晶
單晶
•    4~6吋高品質鍺單晶應用於太空及地面型太陽能發電
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Details 柴式長晶法是一種被使用來生長單晶體的製程,可使用於半導體、金屬、鹽類、氧化物等材料的單晶生長。柴式長晶法使用石墨坩堝在高溫下將鍺原料熔解成熔湯,再使用特定晶格方向的晶種浸入固液介面後向上拉伸及旋轉生長單晶棒。晶泰使用柴式長晶法生產4吋及6吋鍺單晶棒。
   
   
鍺單晶實際產品及規格





Diameter

4”

6”

Growth method

CZ

CZ

Dopant

P (Ga)

P (Ga)

Orientation

(100)

(100)

Misorientation

±0.5°

±0.5°

Resistivity(Ωcm)

0.01~0.05, or per customer specs

0.01~0.05, or per customer specs

EPD(counts/cm2)

0

0

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產品相關檔案 檔案名稱 檔案大小 上傳時間 下載 PDF-brochure_2016_01-ingot_and_wafer.pdf 175KB 2016/6/29 下午 01:36:41 下載
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